可控硅就是晶閘管，具有體積小、功能強(qiáng)、結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單等特點(diǎn)，是十分常用的半導(dǎo)體器件，但是在長(zhǎng)期的使用過(guò)程中，中頻爐會(huì)出現(xiàn)水路暢通且散熱器與可控硅的安裝符合標(biāo)準(zhǔn)的前提下，老損壞同一位置的可控硅的現(xiàn)象，下面就介紹一下中頻爐燒整流可控硅怎么辦。

一、中頻爐燒整流可控硅的原因

1、水垢較多

逆變可控硅水冷套內(nèi)斷水或散熱效果下降，更換水冷套。有時(shí)觀察水冷套的出水量和壓力是足夠的，但經(jīng)常由于水質(zhì)問(wèn)題，在水冷套的壁上附著一層水垢，由于水垢是一種導(dǎo)熱性級(jí)差的物體，雖然有足夠的水流量流過(guò)，但因?yàn)樗傅母綦x是其散熱效果大大降低。

2、導(dǎo)線接觸不良

　　檢查槽路連接導(dǎo)線，根據(jù)實(shí)際情況酌情處理。當(dāng)槽路連接導(dǎo)線有接觸不良或斷線情況時(shí)，功率升到一定值后會(huì)產(chǎn)生打火現(xiàn)象，影響了設(shè)備的正常工作，從而導(dǎo)致設(shè)備保護(hù)動(dòng)作。有時(shí)因打火時(shí)會(huì)在可控硅兩端產(chǎn)生瞬時(shí)過(guò)電壓，如果過(guò)壓保護(hù)動(dòng)作來(lái)不及，會(huì)燒壞可控硅元件。該現(xiàn)象經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)過(guò)電壓、過(guò)電流同時(shí)動(dòng)作。

3、負(fù)載對(duì)地絕緣降低

負(fù)載回路的絕緣降低，引起負(fù)載對(duì)地間打火，干擾了脈沖的觸發(fā)時(shí)間或在可控硅，兩端形成高壓，燒壞可控硅元件。

4、毛刺電壓過(guò)高

可控硅在反相關(guān)斷時(shí)，承受反向電壓的瞬時(shí)毛刺電壓過(guò)高在中頻電源的主電路中，瞬時(shí)反相毛刺電壓是靠阻容吸收來(lái)吸收的。如果吸收電路中電阻、電容開(kāi)路均會(huì)使瞬時(shí)反相毛刺電壓過(guò)高燒壞可控硅。在斷電的情況下用萬(wàn)秀表測(cè)量吸收電阻阻值、吸收電容容量，判斷是否阻容吸收回路出現(xiàn)故障。

5、脈沖觸發(fā)回路故障

在設(shè)備運(yùn)行時(shí)如果突然丟失觸發(fā)脈沖，將造成逆變開(kāi)路，中頻電源輸出端產(chǎn)生高壓，燒壞可控硅元件。這種故障一般是逆變脈沖形成、輸出電路故障，可用示波器進(jìn)行檢查，也可能是逆變脈沖引線接觸不良，可用手搖晃導(dǎo)線接頭，找出故障位置。

6、設(shè)備在運(yùn)行時(shí)負(fù)載短路

當(dāng)設(shè)備在大功率運(yùn)行時(shí)，如果負(fù)載突然處于短路狀態(tài)，將對(duì)可控硅有一個(gè)很大的短路電流沖擊，若過(guò)電流保護(hù)動(dòng)作不不及保護(hù)，將燒壞可控硅元件。中頻爐晶閘管保護(hù)電路的措施包括過(guò)電流保護(hù)和過(guò)電壓保護(hù)，在使用時(shí)需要采取一定的保護(hù)措施。

7、可控硅冷卻系統(tǒng)故障

可控硅在工作時(shí)發(fā)熱量很大，需要對(duì)其冷卻才能保證正常工作，一般可控硅的冷卻有兩種方式：一種是水冷，另一種是風(fēng)冷。水冷的應(yīng)用較為廣泛，風(fēng)冷一般只用于100KW以下的電源設(shè)備。通常采用水冷方式的中頻設(shè)備均設(shè)有水壓保護(hù)電路，但基本上都是總進(jìn)水的保護(hù)，若某一路出現(xiàn)水堵，是無(wú)法保護(hù)的。

8、電抗器故障

電抗器內(nèi)部打火造成逆變側(cè)的電流斷續(xù)，也會(huì)在逆變輸入側(cè)產(chǎn)生高壓燒壞可控硅。

二、燒整流可控硅的解決辦法

1. 逆變管的阻容吸收回路，重點(diǎn)檢查吸收電容器是否斷路。

2. 檢查管子的電氣參數(shù)是否滿足要求，杜絕使用不合格廠家流入的元件。

3. 檢查水冷套是否斷水，如為斷水將功率運(yùn)行在較低于該過(guò)流值的功率下約十分鐘，迅速停機(jī)，停機(jī)后迅速用手觸摸可控硅元件的芯部，若感覺(jué)到燙手，就是水垢過(guò)多，及時(shí)清理。

4. 注意負(fù)載有無(wú)對(duì)地打火的現(xiàn)象，這種情況會(huì)形成突變的高電壓，造成逆變管擊穿損壞。