對(duì)于可控硅整流柜，電氣人肯定不陌生，整個(gè)工業(yè)行業(yè)都離不開(kāi)它的身影，本期可控硅整流柜廠家小編就給大家簡(jiǎn)單分享一下對(duì)于可控硅模塊您需要了解的一些事項(xiàng)。

既然屬于電氣零件的一種，在生產(chǎn)和使用中肯定會(huì)有損壞的，拿可控硅模塊來(lái)說(shuō)，損壞的種類有：

1.電壓擊穿

可控硅模塊電壓擊穿的表現(xiàn)是晶閘管由于不能承受電壓而損壞，并且芯片上有一個(gè)光滑的孔，有時(shí)需要放大的反射鏡才能看到。 原因可能是管道本身的壓力電阻下降，或當(dāng)管道被電路斷開(kāi)時(shí)發(fā)生的高壓擊穿。

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2.電流損壞

可控硅模塊電流損傷的痕跡的特征是芯片燃燒產(chǎn)生凹坑，坑面粗糙，并位于遠(yuǎn)離控制桿。

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3.電流上升率損壞

可控硅模塊在這一損壞的表現(xiàn)痕跡與電流損傷相同，位于控制電極附近或上。

如何進(jìn)行保護(hù)可控硅不受任何損壞，可控硅整流柜廠家永博電氣給大家?guī)c(diǎn)建議：

1.過(guò)電壓保護(hù)時(shí)

晶閘管對(duì)過(guò)電壓非常敏感。當(dāng)正電壓超過(guò)其斷狀態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM的一定值時(shí)，晶閘管會(huì)誤導(dǎo)通道，導(dǎo)致電路故障；當(dāng)反向電壓超過(guò)URRM的一定值時(shí)，晶閘管會(huì)立即損壞。因此，必須研究造成過(guò)電壓產(chǎn)生的原因和抑制過(guò)電壓的方法。

過(guò)電壓產(chǎn)生的主要原因是系統(tǒng)的電源或儲(chǔ)能發(fā)生劇烈變化，使系統(tǒng)不能轉(zhuǎn)換，或系統(tǒng)中積累的電磁能不能耗散。 主要發(fā)現(xiàn)雷擊等外部沖擊引起的過(guò)電壓和開(kāi)關(guān)和開(kāi)關(guān)引起的浪涌電壓。 雷擊或高壓斷路器操作產(chǎn)生的過(guò)電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓峰值，對(duì)晶閘管是非常危險(xiǎn)的。

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2.過(guò)電流保護(hù)時(shí)

由于半導(dǎo)體器件體積小，熱容小，特別是晶閘管等高壓、大電流功率器件，必須嚴(yán)格控制溫度，否則會(huì)完全損壞。當(dāng)晶閘管流過(guò)大于額定值的電流時(shí)，熱量過(guò)遲，導(dǎo)致溫度迅速上升，之后會(huì)造成可控硅模塊結(jié)層被燒壞。

造成過(guò)流的原因有很多，如變流器本身晶閘管損壞、觸發(fā)電路故障、控制系統(tǒng)故障、交流電源電壓過(guò)高、過(guò)低或異相、負(fù)載過(guò)載或短路、相鄰設(shè)備故障等。

晶閘管較為常用的過(guò)電流進(jìn)行保護(hù)研究方法是快速熔斷器。由于可控硅模塊廠家普通熔斷器的熔斷特性以及動(dòng)作發(fā)展太慢，在熔斷器熔斷前已燒毀晶閘管；因此，不能直接用來(lái)作為保護(hù)控制晶閘管?？焖偃蹟嗥髀裨谑⑸爸?，熔斷時(shí)間雖然很短，可用于環(huán)境保護(hù)晶閘管。

整流設(shè)備廠家永博電氣多年來(lái)扎根電氣領(lǐng)域，為廣大新老客戶提供優(yōu)良的產(chǎn)品與服務(wù)！