普通晶閘管是一種半可控大功率半導體器件，出現(xiàn)于70年代。是pnpn四層半導體結構，普通晶閘管它有三個極：陽極，陰極和門極; 晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，它的出現(xiàn)使半導體器件由弱電領域擴展到強電領域。

普通晶閘管工作原理

普通晶閘管t在工作過程中，它的陽極a和陰極k與電源和負載連接，組成普通晶閘管的主電路，普通晶閘管的門極g和陰極k與控制普通晶閘管的裝置連接，組成普通晶閘管的控制電路。 　普通晶閘管的工作條件： 　1. 普通晶閘管承受反向陽極電壓時，不管門極承受何種電壓，普通晶閘管都處于關斷狀態(tài)。 　2. 普通晶閘管承受正向陽極電壓時，僅在門極承受正向電壓的情況下普通晶閘管才導通。 　3. 普通晶閘管在導通情況下，只要有一定的正向陽極電壓，不論門極電壓如何，普通晶閘管保持導通，即普通晶閘管導通后，門極失去作用。 　4. 普通晶閘管在導通情況下，當主回路電壓（或電流）減小到接近于零時，普通晶閘管關斷。

普通晶閘管保護措施

普通晶閘管的主要缺點：過流、過壓能力很差。普通晶閘管的熱容量很?。阂坏┻^流，溫度急劇上升，器件被燒壞。 　普通晶閘管承受過電壓的能力極差：電壓超過其反向擊穿電壓時，即使時間極短，也容易損壞。正向電壓超過轉(zhuǎn)折電壓時，會產(chǎn)生誤導通，導通后的電流較大，使器件受損。 　一、過流保護措施 　快速熔斷器：電路中加快速熔斷器。 　過流繼電器：在輸出端串接直流過電流繼電器 　過流截止電路：利用電流反饋減小普通晶閘管的 導通角或停止觸發(fā)，從而切斷過流電路。 　二、過壓保護 　阻容吸收：利用電容吸收過壓。即將過電壓的能量變成電場能量儲存到電容中，然后由電阻消耗掉。 　硒整流堆：硒堆為非線性元件，過壓后迅速擊穿，其電阻減小，抑制過壓沖擊。高電壓過后，硒堆可恢復到擊穿前的狀態(tài)。

普通晶閘管產(chǎn)品展示