變頻器直流供電整流電源系統(tǒng)概述：

1  采用二極管全控整流；符合GB/T3859.1-93《半導(dǎo)體變流器 基本要求的規(guī)定》、GB/T3859.2-93《半導(dǎo)體變流器 變壓器和電抗器》等國家標準。

2  硅整流管批量老化、篩選，逐只測試，并采用正品高可靠元件，適當提高一定保守系數(shù)；選用美國西屋技術(shù)單晶硅為丹麥芯片，由湖北臺基半導(dǎo)體生產(chǎn)的元件：ZP-1600A/1600V。

3  采用交流側(cè)預(yù)充電主回拓撲電路，設(shè)置“緩起電路”使變頻器電容慢慢充電。

4  采用優(yōu)良的強風(fēng)冷卻系統(tǒng)。

5  出線方式：下進下出。

6  有齊備的警示系統(tǒng)、報警系統(tǒng)、安全保護系統(tǒng)和控制系統(tǒng)；

7  有較高抗雷電及防干擾性能；

8  與整流變壓器配合控制對電力系統(tǒng)高次諧波分量影響的指標，符合IEC61000-3-4《國際電工委員會 諧波總量》的指標。

變頻器直流供電整流電源整流裝置技術(shù)參數(shù)：

1、型號：ZQF（W）—— 1500A /510V

2、環(huán)境條件：戶內(nèi)式

3、用途：變頻器前級提供直流電源

 4、額定直流輸出電流：  DC   1500A

 5、額定直流輸出電壓：  DC   510V

 6、額定電網(wǎng)輸入電壓：主供電：三相AC400V±5%  50HZ ±1%                    控制電：AC220V±5%  50HZ ±1%

 7、調(diào)壓方式：不可調(diào)

 8、整流裝置在額定運行情況下的效率不低于96%

 9、電聯(lián)接方式：三相橋式二極管整流

10、直流電流，直流電壓輸出為模擬信號

11、本套設(shè)備的設(shè)計，制造，裝配和試驗符合或高于以下標準規(guī)定：

△  GB/T 3859-93   《半導(dǎo)體電力變流器》

△  GB/T 8740-1998 《電化學(xué)用整流器》

△  JB/T2423-1999  《電力半導(dǎo)體器件 型號編制方法》

△  JB/T8175-1999  《電力半導(dǎo)體器件用型材散熱體 外形尺寸》

△  JB/T4276-1999  《變流器 產(chǎn)品包裝技術(shù)條件》

△  JB/T7062-1993  《半導(dǎo)體變流器聯(lián)結(jié)的標志代號》

△  JB/T56217-1999 《半導(dǎo)體變流器產(chǎn)品質(zhì)量分等 通則》

△ GB/T3539.4-92《低壓熔斷器半導(dǎo)體器件保護用熔斷體的補充要求》

△ GB4940        《可控硅整流元件》

△ GB/T13422-92  《半導(dǎo)體電力變流器電器試驗方法》

△ GB4208-93     《電器產(chǎn)品外殼防護試驗標準》

△ GB/T14594-93  《無氧銅板和帶》（帶材部分）

△ GB/T15291-94  《半導(dǎo)體器件  第6部分   晶閘管》

△ IEC-146-1,2,3   國際電工標準

內(nèi)置電容預(yù)充電電路

一、預(yù)充電回路介紹

在電壓源型變頻器整流電路中，*常見的就是六脈動二極管整流，對于6脈動二極管整流，由于二極管為不可控器件，為了減小變頻器上電瞬間，對電網(wǎng)的沖擊，以及二極管器件本身的電流限制，還有對濾波電容的沖擊電流，需要限制瞬間電流，其限流部分（預(yù)充電電阻）有的布置在直流側(cè)，有的布置在交流側(cè)，主回路拓撲結(jié)構(gòu)也有區(qū)別。電容隔直通交、存儲電荷、耦合、濾波等等，而在變頻器的主回路當中，直流電容的主要作用就是濾波和儲能，在交流電換相時釋放能量，保證直流電壓穩(wěn)定，從儲能和濾波角度講當然電容的容值越大越好，但是在變頻器的主回路中，大的電容也會導(dǎo)致變頻器上電初期，電容處于過渡過程，容易導(dǎo)致回路電流過大，因此必須設(shè)置“緩起電路”，使得電容慢慢充電，不至于影響電源、整流二極管、以及電容自身性能，因此預(yù)充電回路應(yīng)運而生。

二、交流側(cè)預(yù)充電主回拓撲電路原理圖

三、變頻器直流供電整流電源產(chǎn)品展示

變頻器直流供電整流電源系統(tǒng)概述：

1  采用二極管全控整流；符合GB/T3859.1-93《半導(dǎo)體變流器 基本要求的規(guī)定》、GB/T3859.2-93《半導(dǎo)體變流器 變壓器和電抗器》等國家標準。

2  硅整流管批量老化、篩選，逐只測試，并采用正品高可靠元件，適當提高一定保守系數(shù)；選用美國西屋技術(shù)單晶硅為丹麥芯片，由湖北臺基半導(dǎo)體生產(chǎn)的元件：ZP-1600A/1600V。

3  采用交流側(cè)預(yù)充電主回拓撲電路，設(shè)置“緩起電路”使變頻器電容慢慢充電。

4  采用優(yōu)良的強風(fēng)冷卻系統(tǒng)。

5  出線方式：下進下出。

6  有齊備的警示系統(tǒng)、報警系統(tǒng)、安全保護系統(tǒng)和控制系統(tǒng)；

7  有較高抗雷電及防干擾性能；

8  與整流變壓器配合控制對電力系統(tǒng)高次諧波分量影響的指標，符合IEC61000-3-4《國際電工委員會 諧波總量》的指標。

變頻器直流供電整流電源整流裝置技術(shù)參數(shù)：

1、型號：ZQF（W）—— 1500A /510V

2、環(huán)境條件：戶內(nèi)式

3、用途：變頻器前級提供直流電源

 4、額定直流輸出電流：  DC   1500A

 5、額定直流輸出電壓：  DC   510V

 6、額定電網(wǎng)輸入電壓：主供電：三相AC400V±5%  50HZ ±1%                    控制電：AC220V±5%  50HZ ±1%

 7、調(diào)壓方式：不可調(diào)

 8、整流裝置在額定運行情況下的效率不低于96%

 9、電聯(lián)接方式：三相橋式二極管整流

10、直流電流，直流電壓輸出為模擬信號

11、本套設(shè)備的設(shè)計，制造，裝配和試驗符合或高于以下標準規(guī)定：

△  GB/T 3859-93   《半導(dǎo)體電力變流器》

△  GB/T 8740-1998 《電化學(xué)用整流器》

△  JB/T2423-1999  《電力半導(dǎo)體器件 型號編制方法》

△  JB/T8175-1999  《電力半導(dǎo)體器件用型材散熱體 外形尺寸》

△  JB/T4276-1999  《變流器 產(chǎn)品包裝技術(shù)條件》

△  JB/T7062-1993  《半導(dǎo)體變流器聯(lián)結(jié)的標志代號》

△  JB/T56217-1999 《半導(dǎo)體變流器產(chǎn)品質(zhì)量分等 通則》

△ GB/T3539.4-92《低壓熔斷器半導(dǎo)體器件保護用熔斷體的補充要求》

△ GB4940        《可控硅整流元件》

△ GB/T13422-92  《半導(dǎo)體電力變流器電器試驗方法》

△ GB4208-93     《電器產(chǎn)品外殼防護試驗標準》

△ GB/T14594-93  《無氧銅板和帶》（帶材部分）

△ GB/T15291-94  《半導(dǎo)體器件  第6部分   晶閘管》

△ IEC-146-1,2,3   國際電工標準